Degragation of 600-V 4H-SiC Schottky diodes under irradation with 0,9 MeV electrons
autor
Lebedev, Alexander A.
Davydovskaja, K. S.
Kozlovski, Vitali V.
Korolkov, Oleg
Sleptšuk, Natalja
Toompuu, Jana
vastutusandmed
A.A. Lebedev, K.S. Davydovskaya, V.V. Kozlovski, O.M. Korolkov, N.S. Sleptšuk, J. Toompuu
allikas
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials : September 25-29, 2016, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece : [poster session]
ilmumiskoht
[S.l.]
ilmumisaasta
2016
leheküljed
p. 49
konverentsi nimetus, aeg
11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM 2016, September 25-29, 2016
konverentsi toimumispaik
Halkidiki, Greece
märksõna
Schottky barjäär
dioodid
ränikarbiid
võtmesõna
Schottky diodes
silicon carbide (SiC)
radiation effects
TTÜ struktuuriüksus
Thomas Johann Seebecki elektroonikainstituut
keel
inglise