Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties
autor
vastutusandmed
Daniel Kropman, Viktor Seeman, Sergei Dolgov, Ivo Heinmaa, Artur Medvid
kirjastus/väljaandja
ajakirja aastakäik number kuu
vol. 13, 10-12
ilmumisaasta
leheküljed
p. 790 - 792
ISSN
1862-6351
märkused
Bibliogr.: 5 ref
teaduspublikatsioon
teaduspublikatsioon
keel
inglise
märksõna
võtmesõna
klassifikaator
WOS
kvartiil
kategooria (üld)
kategooria (alam)
TTÜ struktuuriüksus
Kropman, D., Seeman, V., Dolgov, S., Heinmaa, I., Medvid, A. Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (2016) vol. 13, 10-12, p. 790 - 792.