Kropman, D., Mellikov, E., Kärner, T., Laas, T., Medvid, A., Onufrijevs, P., Dauksta, E.

täiskirje prindi

Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties

autor

Kropman, Daniel

Mellikov, Enn

Kärner, Tiit

Laas, Tõnu

Medvid, Arthur

Onufrijevs, Pavels

Dauksta, Edvins

vastutusandmed

Daniel Kropman, Enn Mellikov, Tiit Kärner, Tõnu Laas, Arthur Medvid, Pavels Onufrijevs, Edvins Dauksta

allikas

Solid state phenomena

ajakirja aastakäik number kuu

Vol. 178/179

ilmumisaasta

2011

leheküljed

p. 259-262

ISSN

1012-0394

keel

inglise

Märksõnad ja võtmesõnad

võtmesõna

EPR

point defect

Si-SiO2-Si3N4 interface

stress relaxation

Kropman, D., Mellikov, E., Kärner, T., Laas, T., Medvid, A., Onufrijevs, P., Dauksta, E. Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface properties // Solid state phenomena (2011) Vol. 178/179, p. 259-262.