Otsing - TalTech teadusportaal

Publikatsioonid
Profiilid
Uurimisrühmad
Registrid
Abi ja info
Switch to English

Publikatsioonid

Publikatsioonid

Liitotsing

Valitud kirjed 0

Kropman, Daniel (autor)

—

—

Lisa tingimus Lihtotsing filter

Tühista

teaviku laadid

raamat ..

artikkel ajakirjas ..

artikkel ajalehes ..

artikkel kogumikus ..

dissertatsioon ..

Open Access ..

Teaduspublikatsioon ..

aasta

Toon andmeid..

Toon andmeid..

TTÜ struktuuriüksus

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Toon andmeid..

Tühista

Kirjeid leitud 28
Vaata veel.. (3/91)
Ekspordi

ekspordi kõik päringu tulemused (28)
Salvesta TXT fail

Salvesta PDF fail

prindi
Märgitud kirjetega toimetamiseks ava valitud kirjed

kuva

reasta
1

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG

Effect of ultrasonic treatment on the defect structure of the Si-SiO2 systemKropman, Daniel; Seeman, Viktor; Dolgov, Sergei; Medvids, ArtursPhysica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics2016 / p. 793 - 797 https://doi.org/10.1002/pssc.201600052 Journal metrics at Scopus Article at Scopus Article at WOS

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG
2

artikkel ajakirjas

Hydrogen interaction with point defects in the Si-SiO2 structures and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Kärner, T.; Ugaste, Ülo; Laas, Tõnu; Heinmaa, I.; Abru, Uno; Medvid, A.Solid state phenomena2008 / p. 345-350 https://www.scientific.net/SSP.131-133.345

artikkel ajakirjas
3

artikkel ajakirjas

Impurity interaction with point defects in the Si-SiO2 structures and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Kärner, T.; Ugaste, Ülo; Laas, Tõnu; Heinmaa, I.; Medvid, A.Materials science and engineering : B2006 / p. 222-226 : ill https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510706004375

artikkel ajakirjas
4

artikkel ajakirjas

Interaction between point defects in the Si-Si=2 systemKropman, Daniel; Kärner, T.; Samoson, Ago; Heinmaa, I.; Mellikov, EnnNuclear instruments & methods in physics research. Section B2002 / p. 78-82 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168583X0100862X

artikkel ajakirjas
5

artikkel kogumikus

Interaction between point defects in the Si-SiO2 system during the process of its formationKropman, Daniel; Kärner, T.; Samoson, Ago; Heidmaa, I.; Ugaste, Ülo; Mellikov, EnnDefect and Diffusion Forum2001 / p. 1737-1744 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0168583X0100862X

artikkel kogumikus
6

artikkel ajakirjas

Interaction between point defects, extended defects and impurities in the Si-SiO2 system during the process of its formationKropman, Daniel; Kärner, T.; Abru, Uno; Ugaste, Ülo; Mellikov, EnnThin solid films2004 / 1/2, p. 53-57 : ill https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0921510704003459

artikkel ajakirjas
7

artikkel ajakirjas

Interaction between point defects, extended defects and impurities in the Si-SiO2 system during the process of its formationKropman, Daniel; Kärner, T.; Abru, Uno; Ugaste, Ülo; Mellikov, Enn; Kauk, MaritMaterials science and engineering : B2004 / p. 295-298 : ill https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0921510704003459

artikkel ajakirjas
8

artikkel ajakirjas

Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Kärner, Tiit; Heinmaa, Ivo; Laas, Tõnu; Londos, Charalampos; Misiuk, AndrzejSolid state phenomena2011 / p. 263-266 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609009014564

artikkel ajakirjas
9

artikkel ajakirjas

Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Kärner, Tiit; Dolgov, Sergei; Heinmaa, Ivo; Laas, Tõnu; Londos, CharalamposPhysica status solidi (c)2011 / p. 694-696 : ill https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609009014564

artikkel ajakirjas
10

artikkel kogumikus

Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Kärner, Tiit; Dolgov, Sergei; Heinmaa, Ivo; Laas, Tõnu; Londos, C. A.The 9th International Conference on Global Research and Education : August 9-12, 2010, Riga : digest2010 / p. 231-233 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609009014564

artikkel kogumikus
11

artikkel kogumikus

Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interfaceKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Lott, Kalju; Kärner, T.; Heinmaa, I.Getterring and defect engineering in semiconductor technology XIII : CADEST 2009 : proceedings of the XIIIth International Autumn Meeting, Döllnsee-Schorfheide, north of Berlin, Germany, September 26 - October 02, 20092010 / p. 145-148 : ill

artikkel kogumikus
12

artikkel ajakirjas

Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interfaceKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Lott, Kalju; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, Tõnu; Medvid, A.; Skroupa, W.; Prucnal, S.; Zvyagin, S.; Cizmar, E.; Ozerov, M.; Wosnitsa, J.Solid state phenomena2010 / p. 145-148 : ill https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609009014564

artikkel ajakirjas
13

artikkel ajakirjas

Interaction of point defects with impurities in the Si-SiO2 system and its influence on the properties of the interfaceKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Öpik, Andres; Lott, Kalju; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, Tõnu; Medvid, A.; Skroupa, W.; Prucnal, S.; Rebohle, L.; Zvyagin, S.; Cizmar, E.; Ozerov, M.; Wosnitsa, J.Thin solid films2010 / 9, p. 2374-2376 https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609009014564

artikkel ajakirjas
14

artikkel kogumikus

Interaktsioon punktdefektide ja lisandite vahel süsteemis Si-SiO2 ja nende mõju piirpinna omadustele : [ettekande sisukokkuvõte]Kropman, Daniel; Kärner, T.; Heinmaa, I.Eesti Füüsika Seltsi aastaraamat 20082009 / lk. 119-120

artikkel kogumikus
15

artikkel ajakirjas

Investigation of strain relaxion mechanism in Si-SiO2 system during the process of its formationKropman, Daniel; Poll, V.; Kärner, T.; Ugaste, Ülo; Mellikov, Enn; Arbu, Uno; Paomets, V.Physica status solidi (a)2003 / 2, p. 297-301 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pssa.200306611

artikkel ajakirjas
16

artikkel ajakirjas

Low-K factor of SiO2 layer on Si irradiated by YAG:Nd laserMedvid, A.; Onufrijevs, Pavels; Mellikov, Enn; Kropman, Daniel; Muktepavela, F.; Bakradze, G.Journal of non-crystalline solids2007 / p. 703-707 : ill https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309306014116

artikkel ajakirjas
17

artikkel kogumikus

Point defects interaction with extended defects and impurities and its influence on the Si-SiO2 system propertiesKropman, Daniel; Arbu, Uno; Kärner, T.; Ugaste, Ülo; Mellikov, Enn; Kauk, Marit; Heinmaa, I.; Samoson, Ago; Medvid, A.Gettering and defect engineering in semiconductor technology. XI2005 / p. 333-338 : ill https://www.researchgate.net/publication/243760197_Point_Defects_Interaction_with_Extended_Defects_and_Impurities_and_Its_Influence_on_the_Si-SiO_2_System_Properties

artikkel kogumikus
18

artikkel kogumikus

Point defects interaction with extended defects in the Si-SiO2 system [Electronic resource]Kropman, Daniel; Kärner, T.; Abru, Uno; Ugaste, Ülo; Mellikov, EnnProceedings IVC-16 : Venice, 20042004 / p. SS1-TuP394 [CD-ROM] https://www.researchgate.net/publication/243760197_Point_Defects_Interaction_with_Extended_Defects_and_Impurities_and_Its_Influence_on_the_Si-SiO_2_System_Properties

artikkel kogumikus
19

artikkel kogumikus

Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Öpik, Andres; Lott, Kalju; Volobujeva, Olga; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, Tõnu; Medvid, A.Radiation Interaction with Materials and its use in Technologies : Kaunas, 24-27.09.20082008 / p. 204-207 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452609010321

artikkel kogumikus
20

artikkel ajakirjas

Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Öpik, Andres; Lott, Kalju; Volobujeva, Olga; Kärner, T.; Heinmaa, I.; Laas, Tõnu; Medvid, A.Physica B : condensed matter2009 / 23/24, p. 5153-5155 : ill

artikkel ajakirjas
21

artikkel ajakirjas

Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Mellikov, Enn; Kärner, Tiit; Laas, Tõnu; Medvid, Arthur; Onufrijevs, Pavels; Dauksta, EdvinsSolid state phenomena2011 / p. 259-262

artikkel ajakirjas
22

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG

Stress relaxation mechanism by strain in the Si-SiO2 system and its influence on the interface propertiesKropman, Daniel; Seeman, Viktor; Dolgov, Sergei; Heinmaa, Ivo; Medvid, ArturPhysica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics2016 / p. 790 - 792 https://doi.org/10.1002/pssc.201600051 Journal metrics at Scopus Article at Scopus Article at WOS

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG
23

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG

Understanding and control of stress at Si-SiO2 interfaceKropman, Daniel; Seeman, Viktor; Medvids, Arturs; Onufrijevs, Pavels; Vitusevich, Svetlana; Mikli, ValdekKey engineering materials2020 / p. 291−296 https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.850.291 Journal metrics at Scopus Article at Scopus

artikkel ajakirjas EST / artikkel ajakirjas ENG
24

artikkel kogumikus

Влияние неоднородностей в моно- и поликристаллическом Cds на фотоэлектрические и длинновременные неравновесные свойстваKropman, Daniel; Lott, Kalju; Šeinkman, M.Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6 : тезисы докладов IV всесоюзного совещания (Одесса, 16-19 ноября 1976 г.)1976 / с. 123 https://www.ester.ee/record=b2969209*est

artikkel kogumikus
25

artikkel ajakirjas

Влияние облучения низкоэнергетическими электронами в растровом электронном микроскопе на параметры полупроводниковых приборовMeiler, Boriss; Kropman, Daniel; Levtšenkova, AllaМикроэлектроника1987 / с. 165-169 : илл https://www.ester.ee/record=b2147720*est

artikkel ajakirjas

Kirjeid leitud 28, kuvan 1 - 25

eelmine
1
2
järgmine

1. Kropman, Daniel 1931
2. Kropman, Daniel Josif
3. Arensburger, Daniel
4. Daniel, Eghert 1957
5. Daniel, Kamran 1986
6. Daniel, Oskar Evald 1874-1945
7. Good, Daniel
8. Konsap, Daniel 1881-1941
9. Lõhmus, Daniel 1984

1. Daniel, Oskar Evald, 1874-1945
2. Defoe, Daniel
3. Ita, Daniel Raphael
4. Kehlmann, Daniel, 1975-
5. Kotsjuba, Daniel
6. Labrosse, Daniel
7. Raymond, Daniel, 1786-1849

vaste

reasta

Otsing
Valikud 0

ilmumisaasta

autor

TTÜ struktuuriüksus

märksõna

seeria-sari

tema kohta

võtmesõna

TalTech Raamatukogu

Akadeemia tee 1

13519

TalTech koduleht TalTech Raamatukogu koduleht Digikogu Digiteek Teadusandmed

6203551

data@taltech.ee

TalTech Raamatukogu